Abstract
En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito.
Highlights
In the present article are exposed the results obtained in the design of a linear microwave amplifier for X-band carriers
Cuando se trata de diseñar amplificadores de alta potencia es común diseñarlos con la técnica de Push-Pull para adaptar adecuadamente los puertos de entrada y salida (Smith & Cripps, 2016)
Microwave Symposium (MMS, IEEE 15th Mediterranean, 1-4)
Summary
Los amplificadores de potencia de RF son usualmente la última etapa de un sistema de comunicación inalámbrico justo antes de las antenas, al ser este un dispositivo electrónico es mayoritariamente el que condiciona la potencia de transmisión, consumo de energía y tamaño físico del equipo, de allí la constante importancia en el desarrollo de técnicas para mejorar el rendimiento de este tipo de dispositivos (Hu, Qian, & Wang, 2015). Las técnicas de diseño y topologías de amplificadores de radiofrecuencia presentan optimización en sus parámetros según: la aplicación, la tecnología de fabricación del elemento activo, el ancho de banda y la frecuencia de operación. El objetivo de este trabajo es diseñar y construir un amplificador de potencia para un transmisor que trabaja como una fuente de referencia, el cual es utilizado para calibrar los sistemas de recepción satelital del Instituto Espacial Ecuatoriano (IEE), para lo cual únicamente se requiere enviar señales portadoras en banda X. Para la realización del diseño se comienza por la elección del transistor de acuerdo con las especificaciones del transmisor, al transistor se lo modela como una red de dos puertos caracterizada por su matriz de parámetros de dispersión, luego se calcula la estabilidad de la red y la máxima ganancia de potencia disponible en el rango de frecuencias de trabajo (Froehner, 1967). Para la construcción de la red se utilizan líneas de transmisión y elementos concentrados con empaquetado físico mucho menor a la frecuencia de operación (Virdee, Virdee, & Banyamin, 204)
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