Abstract
Se estudia la dinámica de un paquete de ondas gaussiano de huecos pesados, en presencia de interacción espín-órbita tipo Rashba, para un sistema semiconductor cuasi-unidimensional. Se utiliza un esquema en diferencias finitas, basado en la aproximación de Cayley, y se extiende a la solución de la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para huecos. Se muestra el fenómeno de la precesión del espín de los huecos, a través de una simulación numérica de la evolución temporal de las componentes del paquete. Es posible evaluar parámetros relevantes, e. g. dimensiones y tiempos de inversión de la polarización, en un dispositivo modelado como transistor de efecto campo de espín, que utilice en calidad de portadores a los huecos.
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.