Abstract
A method of non − destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers on heavily − doped substrates by Fourier − transform infrared spectroscopy (FTIR) has been realized. The studied layers were grown by chloride − hydride epitaxy method in a vertical reactor. The thickness control method was based upon an analysis of interference patterns observed in infrared reflectance spectra. Recommendations on the choice of measurement spectral range optimal for the InAs structures have been made. The factors in consideration included minimal dispersion of the InAs refraction index, and specifics of the heavily − doped substrates’ reflectance. A good correlation between the results of the measurements and the data of metallographic analysis has been observed.
Highlights
Структура 2 получена до оптимизации условий роста
The studied layers were grown by chloride−hydride epitaxy method in a vertical reactor
The thickness control method was based upon an analysis of interference patterns observed in infrared reflectance spectra
Summary
Реализована методика неразрушающего бесконтактного контроля толщины нелегированного автоэпитаксиального слоя InAs на сильнолегированной подложке методом инфракрасной Фурье−спектроскопии. Исследуемые слои были выращены методом хлоридно−гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе. В основе методики лежит анализ интерференционной картины, наблюдаемой в инфракрасных спектрах отражения. Выработаны рекомендации по выбору спектрального диапазона измерений, оптимального для структур InAs. Выбор обусловлен минимальным изменением показателя преломления InAs и особенностями отражения сильнолегированной подложки. Ключевые слова: физика полупроводников, арсенид индия, эпитаксиальные слои, оптические методы исследования, инфракрасная Фурье− спектроскопия, измерение толщины, показатель преломления. Эпитаксиальный арсенид индия широко применяют в полупроводниковой оптоэлектронике. Одной из таких характеристик является толщина эпитаксиального слоя. Ниже представлены результаты разработки методики неразрушающего контроля толщины автоэпитаксиальных слоев арсенида индия, предназначенных для создания на их основе фоточувствительных мишеней вакуумного инфракрасного фотоприемного устройства (ИК ФПУ) [1, 2]
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
