Abstract
The family of bismuth ferroelectrics with a layered structure has generated considerable interest for researchers from both theoretical and practical perspectives for over half a century. The theoretical interest is due to the original structure of the compounds which have a high temperature of blurred ferroelectric transition, and the practical interest is due to the possibility of obtaining multifunctional materials. The crystallochemical analysis of the least studied species of the family, namely, the simplest compositions of the Bi2O3–second oxide type and complex intergrowth structures, compounds with the so-called mixed-layered structure of the grids, is presented. Crystallochemical formulas are proposed to describe the compositions of the above-mentioned types of structures, which should promote more purposeful synthesis of new compounds of the family.
Highlights
Synthesis and electrical properties of solid solutions based on bismuth vanadates / E
Dielectric, impedance and ferroelectric characteristics of c−oriented bismuth vanadate films grown by pulsed laser deposition / N
Theoretical interest is due to the specific structure of the compounds with high-temperature blurred ferroelectric transition, while practical one stems from the possibility of obtaining multifunctional materials
Summary
Смоленская государственная сельскохозяйственная академия, Большая Советская ул., д. 10/2, Смоленск, 214000, Россия. Семейство висмутсодержащих сегнетоэлектриков со слоистой структурой уже более полувека вызывает устойчивый интерес исследователей как с теоретической, так и с практической точки зрения. Теоретический интерес обусловлен своеобразной структурой соединений, имеющих высокую температуру размытого сегнетоэлектрического перехода, практический — возможностью получения многофункциональных материалов. Для описания составов рассмотренных типов структур предложены кристаллохимические формулы, которые должны способствовать более целенаправленному синтезу новых соединений семейства. Существование подобных соединений вызывает интерес, который обусловлен очевидной возможностью синтеза новых составов семейства с многофункциональными свойствами. Подобные системы представляют интерес и для физики твердого тела в целом как объекты исследования и получения дополнительной информации, касающейся размытых фазовых переходов. Интерес к этому семейству сегнетоэлектриков обусловлен также перспективностью их применения в качестве материалов для конденсаторов, варисторов, элементов оперативной памяти с малым рабочим напряжением и высокой скоростью чтения−записи, а также высокой выносливостью к многократному переключению поляризации. Применение низких частот при исследовании подобных структур позволяет более детально их изучить и получить дополнительную информацию, касающуюся фундаментального аспекта физики размытых переходов [1]
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
