Abstract
AbstractAus Photopolarisations‐ und ‐leitfähigkeits‐ sowie Doppelschichtkapazitätsmessungen am System Sb/Oxidschicht/Elektrolyt folgt, daß die anodischen Oxidschichten auf Sb Halbleiter vom n‐Typ sind mit einer verbotenen Zone Eg = 3 eV und der Donatordichte ND ≈︁ 1017 cm‐3.
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