Abstract
In this paper, using spectroscopic ellipsometry we studied the optical properties of thin films, nanocrystals and carbon nanotubes in UV-VIS-NIR range. With a three-phase model, we calculated the thickness of the SiO2 film on a silicon substrate. Using the model for multilayer structure together with the Bruggeman effective medium approximation we determined the existence of roughness on a glass substrate and we calculated the thickness of that layer. We also determined the thicknesses of 12 layers, Si3N4 i SiO2 deposited alternately on a glass substrate. The dielectric function of CeO2 nanocrystal was modeled using the Tauc-Lorentz model and we calculated the value of the energy gap for this material. By analyzing the ellipsometry spectra for the carbon nanotube layer on the silicon substrate, we measured the real and imaginary part of its dielectric function.
Highlights
Analizirali smo spektar ugljeničnih nanotuba na supstratu od silicijuma
U slučaju tankog filma SiO2 na supstratu od Si, sniman je spektar na opsegu 1,5–5,1 eV, sa korakom od 0,05 eV i upadnim uglom 75, dok su spektri uzoraka sa više filmova snimani na opsegu 1,5–4,3 eV, sa korakom 0,05 eV i upadnim uglom 70
Niz naizmeničnih slojeva Si3N4/SiO2 na supstratu od stakla; a) rezultati merenja i najbolji fit; b) izgled structure
Summary
KARAKTERIZACIJA STRUKTURA NANOMETARSKIH DIMENZIJA PRIMENOM SPEKTROSKOPSKE ELIPSOMETRIJE*. U ovom radu smo metodom spektroskopske elipsometrije analizirali optičke osobine tankih filmova, nanoprahova i ugljeničnih nanotuba u UV-VIS-NIR oblasti. Oslanjajući se na posebne osobine materijala nanometarskih dimenzija, razvio se čitav niz njihovih novih primena u elektronici i optici, nanobiloškim sistemima i u medicini. Veličina koja karakteriše optičke osobine materijala je njihova dielektrična funkcija. Dielektrična funkcija poluprovodničkih materijala povezana je sa strukturom energetskih zona 3. Upravo ovi faktori otežavaju interpretaciju podataka celokupnog, složenog sistema koje nosi dielektrična funkcija = r – i i, gde su r i i njen realni, odnosno imaginarni deo, pa je potreban opšti parametarski opis. Spektroskopska elipsometrija (SE) je optička tehnika koja meri količnik kompleksnih koeficijenata s- i pkomponenti polarizacije svetlosti pri refleksiji od uzorka. Cilj ovog rada je proučavanje optičkih svojstva kao i debljine filmova različitih materijala nanometarskih dimenzija u UV-VIS-NIR oblasti
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
