Caracterización fisicoquímica del sistema Mo/CuInS2/Zn(O,OH)S/ZnO por medio de espectroscopía fotoelectrónica XPS y AES

Abstract

<p>Las técnicas de espectroscopía en volumen y superficie son métodos analíticos muy confiables para realizar la caracterización de películas delgadas de diferentes materiales; en este trabajo se presentan resultados relacionados con la composición de la capa absorbente (CuInS2) y la capa buffer Zn(O,OH)S en el sistema Mo/CuInS2/Zn(O,OH)S/ZnO.</p><p>Las capas de CuInS2 y ZnS fueron sintetizadas por co-evaporación y deposición de baño químico (CBD) respectivamente, el sistema fue caracterizado por medio de espectroscopia fotoelectrónica de rayos X (XPS) y todo el sistema fue estudiado por medio de espectroscopia electrónica Auger (AES). Los resultados de XPS indicaron que la capa buffer cubrió uniformemente la superficie de CuInS2, además se verificó que la capa buffer esta compuesta por una mezcla de diferentes compuestos. Finalmente la caracterización por AES en profundidad permitió determinar la composición de cada una de las películas del sistema fotovoltáico.</p>