Body Contact된 High Resistivity PD-SOI N-MOSFET에서 발생하는 RF Inductive 효과의 드레인 전압 종속성 분석

Abstract

Gate 종횡비가 매우 큰 body contact(BCT) high resistivity(HR) partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) nMOSFET에서 발생되는 substrate current-induced body effect (SCBE)에 의해 고주파 SSUB21/SUB과 SSUB22/SUB -parameter에 생기는 RF inductive 효과의 전압 종속 특성을 SCBE 등가회로의 주파수 종속 어드미턴스 방정식을 사용하여 물리적으로 분석하였다. 출력 negative 캐패시턴스를 시뮬레이션할 수 있는 복잡한 SCBE 모델 대신에 간단한 RLC 병렬 공진 회로로 RF inductive 효과를 모델한 후 소신호 등가회로를 사용하여 SCBE 저항, 인덕턴스와 공진주파수의 드레인 전압 종속 특성을 추출하고 검증하였다.