Abstract

Interstitials in Nb3Sn are investigated by molecular dynamics technique. It is shown that around the interstitials the atomic displacements are appreciably larger than around the vacancies and antisite replacements. It is concluded that this phenomenon must lead to amorphization of Nb3Sn under irradiation with light charged particles at low temperatures. Zwischengitterstorstellen in Nb3Sn werden mit der Methode der Molekulardynamik untersucht. Es wird gezeigt, das um die Zwischengitterstorstellen die atomaren Verlagerungen wesentlich groser als um Leerstellen und Antiplatzverlagerungen sind. Es wird angenommen, das diese Erscheinung zu einer Amorphisierung des Nb3Sn unter Einstrahlung mit leichten geladenen Par-tikeln bei niedrigen Temperaturen fuhrt.

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