Abstract
Quantitative X−ray topography of GaSb : Te crystal, grown during unmanned Chinese space experiment has showed a high structural perfection in its greater area, which corresponds to the crystallization of a rounded interface. At the same time, the defects in the field of a face growth have been revealed after some time of the crystallization onset. The control of parameters during the growth process was absent. It was a reason for a reconstruction of the crystal growth history using a two−dimensional map of the measured Te concentrations in the crystal and mathematical modeling of the growth process, and taking into account the analysis of possible factors that influenced the growth crystal characteristics.
Highlights
Quantitative X−ray topography of GaSb : Te crystal, grown during unmanned Chinese space experiment has showed a high structural perfection in its greater area, which corresponds to the crystallization of a rounded interface
The defects in the field of a face growth have been revealed after some time of the crystallization onset
The control of parameters during the growth process was absent. It was a reason for a reconstruction of the crystal growth history using a two−dimensional map of the measured Te concentrations in the crystal and mathematical modeling of the growth process, and taking into account the analysis of possible factors that influenced the growth crystal characteristics
Summary
В отличие от методологии подготовки, проведения и анализа космического эксперимента, изложенной в работе [1], выращивание кристалла GaSb : Te методом Бриджмена во время экспедиции китайского автоматического космического аппарата было проведено при полном отсутствии контроля параметров роста [2]. Поэтому анализ образцов в работе [3] стал основой для развития теоретических моделей и восстановления условий роста различных зон кристалла, влияния на них конвективных потоков в ходе ростового процесса. В результате исследования образца методом количественной рентгеновской топографии [6, 7] построена двухмерная карта распределения Te в кристалле, на основе которой были выявлены характерные области кристаллизации — округлого фронта (А) и грани (В) Наличие этих экспериментальных данных послужило основой для анализа условий роста кристалла GaSb : Te в космическом эксперименте и объяснения возникающих особенностей распределения Te в образце. С этой целью использовали математические модели тепломассопереноса разной степени сложности: гидродинамическую модель (для конвективного тепломассопереноса в расплаве) и сопряженную (для кондуктивно−конвективных процессов переноса для полной ростовой сборки)
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
