Acoustoelectric Amplification in the Presence of Non-Uniform Electric Field and Carrier Concentration in Solids

Abstract

Acoustoelectric amplification in a strain-dependent, transversely magnetised semiconductor is studied in the presence of non-uniform electric field and carrier concentration along the sample length. A generalised expression for the amplification coefficient in strain-dependent and piezoelectric materials is also discussed for a single carrier semiconductor. Application to a multilayered system of different single carrier semiconductors coupled to one elastic wave is also suggested. The non-uniformity in carrier concentration is found to have significant effect on the amplification coefficient in a multilayer system. Bei ungleichformigen Feldern und Ladungstragerkonzentrationen uber der Probenlange wird akustoelektrische Verstarkung in einem spannungsabhangigen, transversal magnetisierten Halbleiter untersucht. Verallgememerte Ausdrucke fur den Verstarkungskoeffizienten in spannungsabhangigen und piezoelektrischen Materialien werden fur einen Eintragerhalbleiter ebenfalls diskutiert. Die Anwendung auf ein mehrschichtiges System von unterschiedlichen Eintrager-Halbleitern, die an eine elastische Welle gekoppelt sind, wird vorgeschlagen. Es wird gefunden, das die Ungleichformigkeit in der Tragerkonzentration einen betrachtlichen Einflus auf den Verstarkungskoeffizienten eines Mehrschichtsystems hat.