Abstract
Development and search for new advanced materials of the lanthanum gallium silicate group with unique thermal properties is of great importance for the development of acoustoelectronics based on volume and surface acoustic waves. The processes of surface acoustic wave excitation and propagation in the La 3 Ga 5.3 Ta 0.5 Al 0.2 O 14 crystal was studied using a double − crystal X − ray diffractometer with a BESSY II synchrotron radiation source. The X − ray diffraction spectra of acoustically modulated crystals were used to measure the surface acoustic wave velocity and power flow angles in different acoustic cuts of the La 3 Ga 5.3 Ta 0.5 Al 0.2 O 14 crystal.
Highlights
Development and search for new advanced materials of the lanthanum gallium silicate group with unique thermal properties is of great importance for the development of acoustoelectronics based on volume and surface acoustic waves
С помощью метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии продемонстрировано, что интенсивности дифракционных сателлитов на кривой качания кристалла ЛГТА изменяются по осциллирующему закону с увеличением амплитуды входного сигнала на ВШП (увеличение амплитуды поверхностных акустических волн (ПАВ))
Summary
3. Дифракция рентгеновского излучения на Y−срезе кристалла ЛГТА, промодулированного ПАВ: а — зависимости интенсивности I дифракционных сателлитов от амплитуды ПАВ на ВШП (1 — m = 0; 2 — 1; 3 — 2; 4 — 3); б — кривая качания при амплитуде входного сигнала U = 5 В; в — распределение акустического волнового поля на поверхности кристалла. Для исследования процесса распространения ПАВ в Y−срезе кристалла ЛГТА была измерена карта распределения рентгеновской интенсивности, дифрагированной во второй порядок дифракции, по поверхности кристалла при амплитуде входного сигнала на ВШП U = 6 В, когда максимум рентгеновской интенсивности дифрагирует во второй дифракционный сателлит на кривой качания
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
More From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.