Abstract
高分子系エッチング型飛跡検出器中に形成されるイオントラックの構造と形成機構を理解するために分析的研究とシミュレーション研究を展開している。照射後の官能基密度変化を，トラックの単位長さ当たりの損傷数（損傷密度）や，損傷の径方向サイズ（実効的トラックコア半径），放射線化学収率について，1.0から12,000 eV/nmの広い阻止能域で評価している。エッチピットを生む損傷形成に果たす多段階の低エネルギー電子のヒットの役割を明らかにしている。
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