Abstract

本講演では、太陽電池やLSIに使用されているシリコン結晶中の欠陥や不純物の挙動を、動的数値解析により検討を行った結果について紹介する。シリコン結晶中の欠陥や不純物は、結晶育成プロセスに強く依存する。すなわち、温度、圧力等の諸パラメータにより、その分布や形状が変化する。本講演では、結晶成長中の温度等を総合伝熱解析により解析し、その結果を使用して不純物や欠陥分布の解析を行った。

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