상대적으로 낮은 온도에서의 고상법에 의한 망간이 도핑된 Zn2SiO4형광체 입자의 제조 및 형광특성

Abstract

Methyl hydrogen polysiloxne으로 처리한 ZnO, fumed <TEX>$SiO_2$</TEX>와 다양한 망간 전구체를 이용하여 서브마이크로미터 크기를 갖는 망간이 도핑된 <TEX>$Zn_2SiO_4$</TEX> 형광체 입자를 고상법으로 제조하였다. 결정화와 광발광 특성은 XRD, SEM, PL스펙트라를 이용하여 분석하였다. 고상법으로 제조한 망간 도핑된 <TEX>$Zn_2SiO_4$</TEX>는 methyl hydrogen polysiloxne 처리한 ZnO의 분산과 응집 때문에 <TEX>$1000^{\circ}C$</TEX>에서 성공적으로 얻어졌고, 진공자외선 여기하에서 제조된 입자의 최대 PL강도는 0.02mol Mn, <TEX>$1000^{\circ}C$</TEX>에서 확인되었다. Mn-doped <TEX>$Zn_2SiO_4$</TEX> phosphor particles having submicrometer sizes were synthesized by a solid-state reaction method using methyl hydrogen polysiloxane-treated ZnO, fumed <TEX>$SiO_2$</TEX> and various Mn sources. The crystallization and photoluminescent properties of the phosphor particles were investigated by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscope(SEM), and by their photoluminescence(PL) spectra. Due to the effect of the dispersion and coherence of the methyl hydrogen polysiloxane-treated ZnO, the Mn-doped <TEX>$Zn_2SiO_4$</TEX> particles were successfully obtained by a solid state method at <TEX>$1000^{\circ}C$</TEX>, and the maximum PL intensity of the prepared particles under vacuum ultra violet(VUV) excitation occurred at a Mn concentration of 0.02mol and a sintering temperature of <TEX>$1000^{\circ}C$</TEX>.