Abstract
Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства наноструктурированного кремния, полученного методом металл-стимулированного химического травления in situ
Highlights
Background and ObjectivesPorous silicon nanowires (SiNP) obtained by the method of metal stimulated chemical etching (EE method) are of great interest
A change in the morphology of the formed layers with increasing in situ irradiation within small doses can affect the properties of SiNP
In all SiNP samples, a decrease in total reflection was observed in the wavelength range of 400–1000 nm as compared to a single-crystal substrate, which is associated with light scattering on an inhomogeneous structural surface
Summary
Background and ObjectivesPorous silicon nanowires (SiNP) obtained by the method of metal stimulated chemical etching (EE method) are of great interest. Исследованы оптические и структурные свойства образцов пористого кремния, полученных методом металл-стимулированного химического травления при облучении малыми дозами γ-квантов непосредственно в процессе его формирования in situ. В процессе химического травления частицы Ag стимулируют процесс образования SiNP и травление происходит под частицами Ag. Для исследования процесса влияния малых доз γ-излучения на свойства наноструктурированного кремния, полученного методом ЕЕ in situ, был подготовлен реактор с травящим водным раствором 5 M HF, 0.5 М H2O2 и девятью подложками (3 на необлученной, 3 с дозой облучения 30 кР и 3–40 кР).
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
