Abstract
Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства наноструктурированного кремния, полученного методом металл-стимулированного химического травления in situ
Highlights
Background and ObjectivesPorous silicon nanowires (SiNP) obtained by the method of metal stimulated chemical etching (EE method) are of great interest
A change in the morphology of the formed layers with increasing in situ irradiation within small doses can affect the properties of SiNP
In all SiNP samples, a decrease in total reflection was observed in the wavelength range of 400–1000 nm as compared to a single-crystal substrate, which is associated with light scattering on an inhomogeneous structural surface
Summary
Background and ObjectivesPorous silicon nanowires (SiNP) obtained by the method of metal stimulated chemical etching (EE method) are of great interest. Исследованы оптические и структурные свойства образцов пористого кремния, полученных методом металл-стимулированного химического травления при облучении малыми дозами γ-квантов непосредственно в процессе его формирования in situ. В процессе химического травления частицы Ag стимулируют процесс образования SiNP и травление происходит под частицами Ag. Для исследования процесса влияния малых доз γ-излучения на свойства наноструктурированного кремния, полученного методом ЕЕ in situ, был подготовлен реактор с травящим водным раствором 5 M HF, 0.5 М H2O2 и девятью подложками (3 на необлученной, 3 с дозой облучения 30 кР и 3–40 кР).
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
More From: Izvestiya of Saratov University. New series. Series: Physics
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.