Abstract
Проведены сравнительные исследования фазового состава, морфологии, твердости и адгезии поверхности полупроводниковых термоэлектрических ветвей на основе твердого раствора Bi2Te3-Sb2Te3 р-типа проводимости, полученных методом горячего прессования, после модификации поверхности различными методами (механическая обработка (МП), импульсная фотонная обработка (ИФО), электрохимическая полировка (ЭХП)). Установлено, что МП упрочняет приповерхностный слой, повышает в 2 раза адгезию коммутационных барьерных слоев Mo–Ni. Последующие ЭХП повышает адгезию слоев Mo–Ni в 1.3 раза, а ИФО в 1.4 раза в сравнении с ветвями после МП.
 
 Работа выполнена с использованием научного оборудования Центра коллективного пользования им. проф. Ю. М. Борисова ВГТУ, Центрально-Черноземного коллективного центра анализа структуры, элементного и химического состава материалов ВГТУ и при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках постановления Правительства Российской Федерации от 9 апреля 2010г. №218 (Договор № 03.G25.31.0246).
Highlights
The objective of this paper is to study the phase composition, morphology, hardness and adhesive properties of the surface of the semiconductor thermoelectric branches Bi2Te3−Sb2Te3 (p-type conductivity) obtained by hot pressing, after various types of surface modification
Tasi C.-H., Tseng Y.-C., Jian S.-R., et al // Journal of Alloys and Compounds, 2015, vol 619, pp
Summary
1. Первоначально все образцы подвергали механической обработке, которую проводили на диске с наждачной бумагой с карбидокремниевым абразивом различной зернистостью (от Р2000 до Р5000), до получения зеркальной поверхности. Для отдельных образцов проводили импульсную фотонную обработку мощным излучением ксеноновых ламп (длина волны 0.2– 1.2 мкм) в атмосфере Ar при следующих режимах: двукратное облучение пакетом импульсов длительностью 10–2 с за 0.8 с, что соответствовало энергии излучения, поступающей на образец (Е ), ~ 80 Дж/см. Для другой части образцов проводили ЭХП с целью удаления поврежденного механической обработкой поверхностного слоя полупроводника, а также очистки поверхности от оксидов и адсорбированных загрязнений. Способы модифицирования поверхности полупроводниковых ветвей [Table 1.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
