Abstract
三元系ニナブ酸塩の光触媒的性質をつぎの方法で測定した:1)電子供与体 (HCOOH, CH3OH) 存在下における光触媒的水素発生速度の測定;2)電子受容体 (KBrO3) 存在下における光触媒的酸素発生速度の測定;3)紫外-可視拡散反射スペクトルを用いたパンドギャップエネルギー(Eg)の測定。フラットバンドポテンシャル (Vfb) と価電子帯の頂上のポテンシャル (Vtop of VB) を三元系ニオブ酸塩の Mulliken の電気陰性度と Eg から推箕した。三元系チタン酸塩系と同様 Eg が大きくなるにつれ Vfb はより負に Vtop of VB はより正にシフトし, Vfb が負になるほど水素発生活性は大きくなった。
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