승자전취 메커니즘 방식의 아날로그 연상메모리

Abstract

선형적인 읽기와 쓰기 특성을 가지고 있는 승자전취메커니즘 방식의 아날로그 메모리를 구현하였다. 메모리의 읽기 동작은 연상메모리의 최적 함수 선택을 위하여 절대값 회로와 승자전취메커니즘 회로가 이용된다. 본 연구에서는 병렬의 고속 쓰기와 읽기 동작뿐만 아니라 고집적을 가능하게 하는 시스템 구성이 실현된다. 복수의 메모리 셀의 구현이 더 높은 집적도와 고속의 쓰기 읽기를 위하여 구현된다. 실시간 인식을 위하여 본 연구에서 사용된 함수는 이상적이며 메커니즘의 시뮬레이션을 위하여 MOSIS의 <TEX>$1.2{\mu}$</TEX> 더블폴리 CMOS 공정 파라미터를 사용하였다. We have developed an analog associative memory implemented with an analog array which has linear writing and erasing characteristics. The associative memory adopts a winner-take-all strategy. The operation for reading in the memory is executed with an absolute differencing circuit and a winner-take-all (WTA) circuit suitable for a nearest-match function of a content-addressable memory. We also present a system architecture that enables highly-paralleled fast writing and quick readout as well as high integration density. A multiple memory cell configuration is also presented for achieving higher integration density, quick readout, and fast writing. The system technology presented here is ideal for a real time recognition system. We simulate the function of the mechanism by menas of Hspice with <TEX>$1.2{\mu}$</TEX> double poly CMOS parameters of MOSIS fabrication process.