그라파이트 블록을 원료로써 재활용한 β-SiC 분말 합성

Abstract

본 연구는 SiC 결정 성장을 위한 원료 분말 합성법에 관한 것이다. <TEX>${\beta}-SiC$</TEX> 분말들은 높은 온도 조건(><TEX>$1400^{\circ}C$</TEX>)에서 실리콘 분말과 탄소 분말의 반응에 의해서 합성 된다. 이 반응은 진공 상태(또는 Ar 가스 분위기)에서 실리콘+탄소 혼합물이 반응하고 다결정의 SiC 분말을 형성하기 충분한 횟수를 거쳐 그라파이트 도가니 안에서 진행된다. 최종 결과물의 특성들은 X-ray 회절, SEM/EDS, 입도 분석 및 ICP-OES을 통해 분석되었다. 또한, 최종 결과물의 순도는 the Korean Standard KS L 1612에 의거해서 분석했다. This paper relates to the synthesis of a source powder for SiC crystal growth. <TEX>${\beta}-SiC$</TEX> powders are synthesized at high temperatures (><TEX>$1400^{\circ}C$</TEX>) by a reaction between silicon powder and carbon powder. The reaction is carried out in a graphite crucible operating in a vacuum ambient (or Ar gas) over a period of time sufficient to cause the Si+C mixture to react and form poly-crystalline SiC powder. End-product characterizations are pursued with X-ray diffraction analysis, SEM/EDS, particle size analyzer and ICP-OES. The purity of the end-product was analyzed with the Korean Standard KS L 1612.