Abstract
Рассмотрена возможность изменения изотопического состава вещества для улучшения физических свойств материала и оптоэлектронных характеристик фотоприемника как наиболее распространенного устройства оптоэлектроники. Показано, что уменьшение тяжелых изотопов в полупроводниковом материале фотоприемников повышает подвижность носителей заряда, коэффициент поглощения света, квантовую эффективность и уменьшает количество подуровней в запрещенной зоне, влияющих на темновой ток. Это приводит к повышению чувствительности фотоприемника, уменьшению величины темнового тока, к улучшению отношения мощности сигнала к мощности шума на выходе фотоприемника. Проведено сравнение технологий улучшения свойств материала совершенствованием характеристик объемных полупроводниковых кристаллов, множественных квантовых ям и сверхрешеток.
Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
