Abstract
АДАПТИРОВАННАЯ МЕТОДИКА КОНТРОЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СБОЕВ В NOR FLASH-ПАМЯТИ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЁЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
Highlights
For citation: GVOZDEV, Roman I.; SHVETSOV-SHILOVSKIY, Ivan I.; SHMAKOV, Sergey B
Контроль тока потребления во время облучения проводился с помощью измерителя тока, совмещённого с источником питания PXI-4110
«Поведение тока потребления микросхем флэш-памяти при возникновении эффектов сбоев типа Single event functional interrupt (SEFI)» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», вып
Summary
For citation: GVOZDEV, Roman I.; SHVETSOV-SHILOVSKIY, Ivan I.; SHMAKOV, Sergey B. Микросхемы flash-памяти используются в системах космического назначения для хранения кодов программ и данных в аппаратуре. 1. Контроль функциональных сбоев при исследованиях микросхем nor flash-памяти Основной причиной нарушений сохранности информации в микросхемах flashпамяти является потеря заряда с элемента хранения транзистора ячейки. ФС при воздействии ОЯЧ определяются по реакции микросхемы в процессе выполнения командных циклов.
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have