Электрофизические и температурные характеристики тонких слоёв квантовых точек Ag2S

Abstract

В работе представлено исследование электрофизических свойств тонких плёнок коллоидных квантовых точек сульфида серебра (КТ Ag2S/SiO2) и квантовых точек сульфида серебра, декорированных плазмонными наночастицами золота (КТ Ag2S/SiO2/Au). Проведено исследование температурных зависимостей проводимости в диапазоне температур от 300 до 360 К. Были получены значения энергии активации из линейных аппроксимаций вольт-амперных характеристик в координатах Аррениуса. Показано, что декорирование КТ Ag2S/SiO2 плазмонными наночастицами золота приводит к увеличению ширины запрещенной зоны с 0.29 до 0.89 эВ. В работе рассчитан фактор идеальности и определены основные механизмы проводимости представленных тонкоплёночных структур. Показано, что декорирование КТ Ag2S/SiO2 наночастицами Au приводит к изменению типа проводимости. Согласно модели Мотта-Герни рассчитана подвижности носителей заряда.