Abstract
A method of measuring the reflection spectra was used to study the implantation of photoresist films of the photoluminescence FP9120 with a thickness of 1.8 μm, implanted by antimony ions, deposited by centrifugation on the surface of p-type silicon plates (ρ = 10 Ω cm) with the (111) orientation. It was shown that, implantation leads to the decrease of photoresist refractive index caused by the radiation linkage of novolac resin, as well as the decrease of molecular refraction and photoresist density. In the opacity area of photoresist film reflectance coefficient growth was observed at the increase of implantation dose.
Highlights
Измерением спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные методом центрифугирования на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом ⋅ см) с ориентацией (111)
Пленка фоторезиста толщиной 1.8 мкм наносилась промышленным способом на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом ⋅ см) с ориентацией (111) методом центрифугирования при скорости вращения 1800 об/мин
После нанесения фоторезиста на рабочую сторону кремневой подложки проводилась сушка в течение 50−55 мин при температуре 88°С
Summary
**e-mail: brinkevich@bsu.by Поступила в редакцию 12.09.2019 г. Измерением спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные методом центрифугирования на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом ⋅ см) с ориентацией (111). Что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
