Abstract
Представлен краткий анализ причин неоднородного и неустойчивого распределения тока между элементарными транзисторами в гребенчатых структурах (ГС) биполярных (БТ) и гетеробиполярных (ГБТ) СВЧ транзисторов. Получено выражение для тока, втекающего в элементарный транзистор ГС, с учетом сопротивления эмиттерной дорожки металлизации. Приведена оценка влияния технологического разброса сопротивлений эмиттерных дорожек металлизации на неравномерность распределения полного тока транзистора между элементарными транзисторами. Показано, что сопротивление эмиттерных дорожек металлизации играет стабилизирующую роль и приводит к повышению тепловой устойчивости токораспределения в ГС, при этом наименее устойчивым к тепловому пробою будет элементарный транзистор ГС с наименьшим сопротивлением эмиттерной дорожки и наибольшим тепловым сопротивлением. Предложены рекомендации по выравниванию и повышению устойчивости токораспределения в ГС БТ и ГБТ.
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies.
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
