Abstract
Silicon carbide thin epilayers were grown on Si substrates by pulsed laser ablation of ceramic target. The influence of wafer temperature on morphological and structural properties of SiC layers was investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and X -ray diffractometry.
Highlights
Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные пленки карбида кремния на кремнии
В качестве подложек использовали пластины монокристаллического кремния с ориентацией (100) и (111)
Толщину образцов 6—8 рассчитывали по известной откалиброванной скорости роста за 1 имп лазерного излучения
Summary
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», *ФГУП «НИФХИ им. Л. Исследовано влияние температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов. Ключевые слова: тонкие пленки, карбид кремния, импульсное лазерное осаждение, эпитаксиальные пленки, морфология поверхности. Эта технология позволяет формировать качественные эпитаксиальные слои карбида кремния, но основной недостаток CVD−метода — это осуществление процесса при достаточно высоких температурах (1400 °С и выше). Эта технология исключает применение химически агрессивных и взрывоопасных газов, позволяет формировать тонкие сплошные покрытия, начиная с единиц нанометров, при относительно низких температурах подложки. Выращенные методом ИЛО слои SiC на кремнии перспективны в качестве основы для производства изделий микросистемной техники [4], а также темплейтов для гетероэпитаксии нитридов металлов III группы (см., например, работу [5]). Цель работы — изучение физико−технологических особенностей низкотемпературного синтеза тонких пленок карбида кремния методом ИЛО и, в частности, анализ влияния температуры и кристаллической ориентации подложки на состав, структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
