運用六標準差手法解決Nand Flash IC半導體脫層問題

Abstract

快閃記憶體(Nand Flash)，是半導體被歸類為記憶體的一個族群。近年來因為消費者市場對於智慧型手機及平板電腦的大量需求導致其市場急速擴大。為滿足各種型態的記憶體需求，半導體封裝測試廠將面臨時間的壓縮、有限的資源的情況下，被要求製造出高品質及多樣性的產品，以滿足客戶需求及通過客戶的品質認證。六標準差(Six Sigma)是一普遍為大眾所認同有效的改善方法，可用來提升品質並維持企業之競爭力。 本研究是以某半導體封裝測試廠，以改善IC脫層提高顧客滿意度為品質改善目標。該公司透過六標準差方法，運用六標準差步驟，定義、衡量、分析、改善與控制作整體性的改善。其次，本研究也結合品質改善及統計分析手法分析出發生的原因，和可控制的因子，利用田口方法針對控制因子做最佳化的改善。經過驗證及長期監控後，生產中的產品已經完全改善，沒有再發生脫層，並為公司節省了將近五千萬的品質成本 ，也大幅提升了客戶的滿意度。