Abstract

Bridgman tekniği ile büyütülen saf, % 0.1 ve % 0.5 bor katkılı InSe tek kristallerinin morfolojik ve optik soğurma özellikleri araştırıldı. Saf, % 0.1 ve % 0.5 bor katkılı InSe tek kristallerinin morfolojik ve optik soğurma özellikleri AFM, SEM ve UV-Vis spektrofotometre teknikleri ile araştırıldı. SEM analizleri geniş yüzeyli yüksek kalitede InSe tek kristallerinin stokiyometrik eriyikten büyüdüğünü gösterdi. Optik soğurma spektrumlarının analizinden saf ve % 0.1 bor katkılı InSe tek kristallerine oranla % 0.5 bor katkılı InSe tek kristalinin eksiton pikinin genişlediği görüldü. Ayrıca, bor katkısı sonucu soğurma şiddetinin azaldığı ve soğurma kenarının daha uzun dalga boyuna doğru kaydığı görüldü. Optik soğurma ölçümlerinden, hem saf hem de bor katkılı InSe tek kristallerinin direkt yasak enerji bant aralığına sahip olduğu gözlendi. Ayrıca, saf InSe tek kristalinin yasak enerji bant aralığına oranla bor katkılı InSe tek kristallerinin yasak enerji bant aralıklarının katkı oranına bağlı olarak azaldığı görüldü.

Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.