Abstract

El presente trabajo se centra en la caracterización estructural, morfológica y dieléctrica de películas de titanato de bario (BTO o BaTiO3 por su fórmula química) depositados mediante la técnica que proporciona recubrimiento por medio de un sistema de rotación (spin coating) sobre substratos de silicio cristalino (Si) y resonadores CPW mediante la técnica Sol-Gel, utilizando una relación molar Ba/Ti de 0.5/0.5. Las guías de ondas se fabricaron sobre substratos de alúmina (Al2O3) con 3 mm de metalización en oro (Au) empleando la técnica de ablación láser. La microscopia electrónica de barrido (SEM) con espectrometría de dispersión de energía de rayos X (EDS) permitió evidenciar la existencia de una película de BTO con una composición elemental de 14.62 % de bario y 5.65 % de titanio, además de un espesor de 0.77 mm medido utilizando la modalidad perfilométrica de la microscopia de fuerza atómica (AFM). La caracterización dieléctrica se llevó a cabo mediante la comparación de la respuesta en frecuencia (parámetro S21) de un resonador CPW con película de BTO depositada y otro resonador de referencia (sin película) usando un analizador vectorial de red (VNA). Estas medidas se comparan a su vez con simulaciones computacionales para obtener las propiedades dieléctricas. Para la película de BTO se determinó una constante dieléctrica relativa (er) de 160 con tangente de pérdida (Tand) de 0.012 para una frecuencia de 3.60 GHz. La constante dieléctrica y la propiedad ferroeléctrica del material elaborado son características bastante promisorias para aplicaciones en circuitos de microondas, tales como miniaturización y sintonizabilidad.

Highlights

  • Ferroelectric materials are characterized for presenting a spontaneous polarization in absence of an electric field [1]

  • Said process can be made by depositing films of the material through Sol-Gel synthesis on resonators elaborated in Coplanar Waveguides (CPW) [8,9]

  • In the present paper, structural, morphological and dielectric characteristics of BTO films deposited on CPW resonators through the Sol-Gel technique are reported

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Summary

Introduction

Ferroelectric materials are characterized for presenting a spontaneous polarization in absence of an electric field [1]. This particularity has brought electronic industries to use these materials in the GHz region for the optimization and miniaturization of measurement devices, frequency and telephony analyzers [2]. The So-Gel process consists in the preparation of a colloid stable solution (“Sol”) from de precursors that produce a network of macromolecular oxide, that gels into a film when it dries [10,11]. In this paper the dielectric characterization of BTO is presented, so that it is possible to ensure a high r under acceptable structural and morphological conditions

Methods
Results
Conclusion

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