Attenuation of ultrasonic longitudinal waves in Ge, GaSb, and InSb at low temperatures

Abstract

The attenuation, α, of ultrasonic longitudinal waves propagating in the (111) direction in monocrystalline Ge, GaSb, and InSb [1] is investigated. The measurements were made in the frequency range 100 to 350 MHz and at temperatures of 7 to 300 °K using the pulseecho technique. At temperatures below 20 °K, the attenuation is independent of temperature for a given material, but depends on frequency. At temperatures above 20 °K, it is found that for the three materials the change of the ultrasonic attenuation with respect to the residual attenuation α0 depends only on the lattice scattering. The ultrasonic low-energy phonons and the transversal thermal phonons are only involved in the three-phono, process of scattering. The temperature dependence is fitted using the theory of Maris. Nous avons étudié l'atténuation α des ondes ultrasonores longitudinales se propageant dans la direction (111) de monocristaux de Ge, GaSb et InSb [1]. Nous avons utilisé la technique du pulse-écho dans le domaine de fréquences de 100 à 350 MHz et aux températures comprises entre 7 et 300 °K. Pour les températures inférieures à 20 °K. l'atténuation est indépendante de la température pour un matériau donné mais dépend de la fréquence. Pour les températures supérieures à 20 °K, nous trouvons que la variation de l'atténuation ultrasonore résiduelle α0 depend seulement de l'interaction avec le réseau pour les trois matériaux. Cette interaction fait intervenir les phonons ultrasonores de faible énergie et les, phonons thermiques transverses suivant le processus d'interaction à trois phonons. La variation en fonction de la température est comparée avec celle prévue par la théorie de Maris.