Abstract
Виникнення радіаційного забарвлення в іонних кристалах є результатом локалізації створених радіацією вільних носіїв заряду на дорадіаційних точкових дефектах кристалічної ґратки. Із накопиченням у кристалах центрів забарвлення вступають в дію зворотні процеси. Вільні носії заряду рекомбінують на центрах забарвлення, дорадіаційні дефекти відновлюються. Завдяки довготривалого опромінення кристалів встановлюється динамічна рівновага між процесами генерації центрів забарвлення та висвітлювальною дією рентгенівських променів. Запропоновано одновимірну модель іонних кристалів, у якій було розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих неізовалентними домішками. Імовірність генерації центрів забарвлення при розпаді електронно-діркової пари та імовірність висвітлювальної дії знижується зі зменшенням концентрації активатора. За високих температур незалежно від концентрації активатора в кристалі імовірність утворення центрів забарвлення під час розпаду електронно-діркової пари така ж, як імовірність їх руйнування. Це пояснено тим, що в обох випадках носії заряду взаємодіють із електронейтральними дипольними центрами. Зі зменшенням концентрації активатора зростає величина енергії, що витрачається на створення однієї комплементарної пари центрів забарвлення, а відповідно радіаційна чутливість кристала знижується.
Highlights
Розрахунок радіаційних параметрів кристалів флюоритів, легованих лужними металами, проведено в одномірній моделі іонного кристала за методикою, яку описано в роботі (Chornii, et al, 2008)
Величина радіаційного забарвлення кристалів у декілька разів вища в кристалах, опромінених за кімнатної температури – с2, порівняно із кристалами, опроміненими за низьких температур – с1
За низьких температур у кристалах утворюються електрично заряджені центри забарвлення (FA-VKА(1))-пари, а за кімнатної – центри забарвлення дипольного типу (МА+-VKА), що зумовлює зменшення висвітлювальної дії рентгенівських променів
Summary
За низьких температур аніонна вакансія розміщена в околі домішкового іона (локальний спосіб компенсації електричного заряду), утворюючи домішково-вакансійні диполі (ДВД) типу типу ● при Т < 120 К ДВД нерухомі в ґратці кристала; ● у діапазоні температур 120 К < Т < 370 К аніонна вакансія здійснює перепади за вісьмома еквівалентними позиціями аніона, які оточують лужний іон, тобто має місце ротація аніонної вакансії без її відходу від домішкового іона; ● при Т > 370 К наступає термодисоціація ДВД: відбувається перехід від локального до просторового способу компенсації електричного заряду: За цих температур іони лужних металів нерухомі в ґратці кристала, а аніонні вакансії мігрують по ґратці. Під час радіаційного опромінення кристалів флюоритів, легованих лужними металами, концентрація ДВД у кристалі зменшується (радіаційне руйнування ДВД), а відповідно концентрація центрів забарвлення зростає.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
